Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit isoliertem Gate, m rus. КМОП структура с изолированными … Radioelektronikos terminų žodynas
jungtinis MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. stacked gate complementary MOS; stacked gate complementary MOS structure vok. komplementäre Stapelgate MOS, f; Stapelgate CMOS, f rus. КМОП структура с многоуровневыми затворами, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
daugiasluoksnis jungtinis MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. overlaid CMOS; overlaid CMOS structure; overlaid complementary MOS vok. komplementäre Mehrebenen MOS Struktur, f; Mehrebenen CMOS Struktur, f rus. многослойная КМОП структура, f;… … Radioelektronikos terminų žodynas
kokybiškasis jungtinis MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high performance complementary MOS; high performance complementary MOS structure vok. komplementäre Hochleistungs MOS Struktur, f rus. высококачественная КМОП структура, f pranc. structure MOS … Radioelektronikos terminų žodynas
jungtinis silicio MOP darinys ant safyro — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat, f; komplementäre MOS auf Saphir… … Radioelektronikos terminų žodynas
jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei Polysiliziumebenen, f rus. КМОП структура с двумя слоями… … Radioelektronikos terminų žodynas
jungtinis švitinimui atsparus MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radiation hard CMOS; radiation hard CMOS structure vok. strahlungsfeste CMOS Struktur, f; strahlungsfeste komplementäre MOS Struktur, f rus. радиационно стойкая КМОП структура, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
CMOS structure — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
CMOS-Struktur — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary MOS structure — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
